型号 |
SPB04N60S5 |
厂商 |
Infineon Technologies |
描述 |
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263 |
SPB04N60S5 PDF |
|
代理商 |
SPB04N60S5
|
产品培训模块 |
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
|
产品目录绘图 |
Mosfets TO-263
|
标准包装 |
1 |
系列 |
CoolMOS™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
|
FET 特点 |
标准
|
漏极至源极电压(Vdss) |
600V
|
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
4.5A
|
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
950 毫欧 @ 2.8A,10V
|
Id 时的 Vgs(th)(最大) |
5.5V @ 200µA
|
闸电荷(Qg) @ Vgs |
22.9nC @ 10V
|
输入电容 (Ciss) @ Vds |
580pF @ 25V
|
功率 - 最大 |
50W
|
安装类型 |
表面贴装
|
封装/外壳 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
|
供应商设备封装 |
PG-TO263-3
|
包装 |
标准包装 |
其它名称 |
SPB04N60S5INDKR
|